ROHM Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 4.5 A 2 W SOP-8
- RS Best.-Nr.:
- 255-7746
- Herst. Teile-Nr.:
- SH8KE6TB1
- Marke:
- ROHM
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.754 | CHF.8.76 |
| 50 - 95 | CHF.1.491 | CHF.7.43 |
| 100 - 245 | CHF.1.145 | CHF.5.72 |
| 250 - 995 | CHF.1.124 | CHF.5.62 |
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- 255-7746
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- SH8KE6TB1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 4.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | SOP-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 58mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 6.7nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 4.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße SOP-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM 100-V-4,5-A-Dual-N-Kanal+N-Kanal-Leistungs-MOSFET ist ein MOSFET mit niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand, der ideal für Schaltanwendungen ist. Dieses Produkt umfasst zwei 100-V-N-Kanal-MOSFETs in einem kleinen SMD-Gehäuse.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand – bleifreie Beschichtung, RoHS-konform, halogenfrei
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