Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 9.2 A 60 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 256-7271P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF520PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 50 - 95 | CHF.1.252 |
| 100 - 245 | CHF.1.01 |
| 250 - 495 | CHF.0.98 |
| 500 + | CHF.0.717 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7271P
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF520PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 9.2A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.27Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 60W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 4.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.2A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.27Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 60W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 4.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse ist universell bevorzugt für alle gewerblichen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W.
Dynamische dV/dt-Nennleistung
Wiederholbare Lawinenbeständigkeit
175 °C Betriebstemperatur
Schnelles Schalten
Einfache Parallelstellung
Einfache Antriebsanforderungen