Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 1.8 A 20 W, 3-Pin IRF9610SPBF TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.11.445

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 890 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 5CHF.2.289CHF.11.42
10 - 20CHF.2.058CHF.10.29
25 - 95CHF.2.016CHF.10.10
100 - 495CHF.1.659CHF.8.32
500 +CHF.1.365CHF.6.82

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
256-7279
Herst. Teile-Nr.:
IRF9610SPBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1.8A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.5Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

20W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

4.83mm

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das D2PAK (TO-263) ist ein SMD-Leistungsgehäuse, das Matrizengrößen bis zu HEX-4 aufnehmen kann. Es bietet die höchste Leistungsfähigkeit und den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in jedem vorhandenen SMD-Gehäuse.

SMD-Montage

Erhältlich als Band und Rolle

Dynamische dV/dt-Nennleistung

P-Kanal

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

Einfache Antriebsanforderungen

Verwandte Links