Vishay IRF Typ P-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 200 V / 1.8 A 2 W, 3-Pin IRF9610PBF TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 178-0837
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9610PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.103 | CHF.54.92 |
| 100 - 200 | CHF.0.935 | CHF.46.67 |
| 250 + | CHF.0.882 | CHF.43.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0837
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF9610PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.8A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | IRF | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -5.8V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 4.7 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 9.01mm | |
| Länge | 10.41mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.8A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie IRF | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -5.8V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 4.7 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 9.01mm | ||
Länge 10.41mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Vishay Leistungs-MOSFETs-Technologie ist der Schlüssel für Advanced Line von Leistungs-MOSFET-Transistoren. Die effiziente Geometrie und die einzigartige Verarbeitung der Leistungs-MOSFETs erreichen einen sehr niedrigen Betriebswiderstand in Kombination mit hoher Transkonduktivität und extremer Robustheit des Geräts. Das TO-220AB-Gehäuse wird universell für alle kommerziellen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von bis zu ca. 50 W bevorzugt
Dynamische dV-/dt-Bewertung
Einfacher Parallelbetrieb
Einfache Laufwerkanforderungen
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