Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 14 A 42 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 256-7305
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR024PBF
- Marke:
- Vishay
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- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 14A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.1Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.38mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 14A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.1Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.38mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Der DPAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphase-, Infrarot- oder Wellenlötetechniken entwickelt. Die gerade Kabelversion (IRFU, Serie SiHFU) ist für Durchgangsbohrungsmontageanwendungen vorgesehen. Leistungsableitungsstufen von bis zu 1,5 W sind in typischen SMD-Anwendungen möglich.
Dynamische dV/dt-Nennleistung
Erhältlich als Band und Rolle
Schnelles Schalten
Einfache Parallelstellung
Einfache Antriebsanforderungen
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