Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 7.7 A, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 256-7332
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR014PBF
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF.0.41 | CHF.31.03 |
| 150 - 450 | CHF.0.326 | CHF.24.17 |
| 525 - 975 | CHF.0.263 | CHF.19.93 |
| 1050 - 2925 | CHF.0.231 | CHF.17.33 |
| 3000 + | CHF.0.221 | CHF.16.85 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7332
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLR014PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 2.39mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Der DPAK wurde für die Oberflächenmontage mit Dampfphase-, Infrarot- oder Wellenlötetechniken entwickelt.
Dynamische dV/dt-Nennleistung
Erhältlich als Band und Rolle
Gate-Antrieb auf Logik-Ebene
Schnelles Schalten
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