Vishay Einfach N-Kanal 1, SMD MOSFET 60 V Erweiterung / 7.7 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 178-0907
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR014PBF
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 178-0907
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR014PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Transistor-Konfiguration | Einfach | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Montageart | SMD | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 7.7 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 2.5 W | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Höhe | 2.38 mm | |
| Länge | 6.73 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 200 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | -20 V, +20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Breite | 6.22 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Transistor-Konfiguration Einfach | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
Montageart SMD | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 7.7 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 2.5 W | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Höhe 2.38 mm | ||
Länge 6.73 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 200 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) -20 V, +20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Breite 6.22 mm | ||
N-Channel MOSFET, 60V to 90V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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