Vishay IRLU Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 7.7 A 2.5 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 178-0910
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLU014PBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*
CHF.57.60
Auf Lager
- 2'025 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 75 | CHF.0.768 | CHF.57.79 |
| 150 - 300 | CHF.0.657 | CHF.49.17 |
| 375 + | CHF.0.576 | CHF.43.41 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 178-0910
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLU014PBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | IRLU | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 200mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie IRLU | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 200mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MOSFET, 60 V bis 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET-Transistoren, Visahy Semiconductor
Verwandte Links
- Vishay IRLU Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 7.7 A 2.5 W, 3-Pin IPAK
- Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 7.7 A 42 W, 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 2.5 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin IPAK
- Vishay Einfach Typ N-Kanal 1 MOSFET 60 V Erweiterung / 7.7 A 2.5 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 5 A 96 W, 3-Pin IPAK
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 30 V / 160 A 135 W, 3-Pin IPAK
- Vishay IRFU Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 1.4 A 36 W, 3-Pin IPAK