Vishay IRFU420 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin IPAK

RS Best.-Nr.:: 146-4434
Herst. Teile-Nr.:: IRFU420PBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFU420 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin IPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 146-4434
Herst. Teile-Nr.:: IRFU420PBF
Marke:: Vishay

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	500V
	Gehäusegröße	IPAK
	Serie	IRFU420
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	19nC
	Maximale Verlustleistung Pd	42W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.22mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Länge	6.73mm
	Höhe	2.39mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 500V
	Gehäusegröße IPAK
	Serie IRFU420
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1.6V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC
	Maximale Verlustleistung Pd 42W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.22mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Länge 6.73mm
	Höhe 2.39mm
	Automobilstandard Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRFU420 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 500 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 2,4 A – IRFU420PBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in industriellen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät, das für Anwendungen geeignet ist, die eine hohe Drain-Source-Spannung und einen moderaten Dauerstrom erfordern, mit einem IPAK 3-Pin-Gehäuse, das für die Integration auf Board-Ebene konzipiert ist.

Merkmale und Vorteile:

• 500 V Drain-Source-Festigkeit für Hochspannungsschaltfähigkeit • 3 Ω RDS(on) für vorhersehbare Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand • 2,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhaften Lastbetrieb • 19 nC typische Gate-Ladung zur Unterstützung der Schaltenergiebewertung • Maximale Verlustleistung von 42 W für thermische Designspanne • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für breite thermische Umgebungen

Anwendungen

• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Gate-Schaltstadien • Ideal für Hochspannungs-Schaltnetzteile • Wird für Netzspannungsschutz und Dämpfungsstromkreise verwendet • Kann in Automatisierungs-Steuerrelais und -Treibern verwendet werden

Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?

Halten Sie die Gate-Auslenkungen innerhalb von ±20 V gegenüber der Quelle, um eine Überlastung des Gate-Oxids zu verhindern und eine langfristige Schaltzuverlässigkeit zu gewährleisten.

Wie sollten thermische Beschränkungen auf der Leiterplatte verwaltet werden?

Verwenden Sie eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen, um bis zu 42 W abzuleiten, und bewerten Sie die Widerstandsfähigkeit der Verbindung zur Umgebung für Ihre Kühlstrategie.

Welche Überlegungen zur Schaltleistung ergeben sich aus der Gate-Ladung?

Budget-Treiberstrom und Slew-Raten um den Gate-Ladungswert von 19 nC zur Steuerung von Schaltverlusten und elektromagnetischen Emissionen während der Übergänge.

Gibt es spezifische Montageempfehlungen für einen zuverlässigen Betrieb?

Als oberflächenmontiertes IPAK-Gerät sorgen Sie für sichere Lötverbindungen und eine geeignete Grundfläche für die Wärmeverteilung, um die Temperatur im Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C aufrechtzuerhalten.