STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A 45 W, 3-Pin STD3NK60Z-1
- RS Best.-Nr.:
- 151-949
- Herst. Teile-Nr.:
- STD3NK60Z-1
- Marke:
- STMicroelectronics
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 75 - 675 | CHF.0.441 | CHF.32.92 |
| 750 - 1425 | CHF.0.42 | CHF.31.27 |
| 1500 + | CHF.0.389 | CHF.28.98 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 151-949
- Herst. Teile-Nr.:
- STD3NK60Z-1
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Serie | SuperMESH | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3.6Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±30 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Serie SuperMESH | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.6Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±30 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super-MESH-Technologie entwickelt, einer Optimierung des bewährten Power-MESH. Zusätzlich zu einer erheblichen Reduzierung des Einschaltwiderstands sind diese Geräte so konzipiert, dass sie ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleisten.
100% Avalanche-getestet
Minimierung der Gate-Ladung
Sehr geringe Eigenkapazität
Zener-geschützt
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