STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin IPAK

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Stange mit 75 Stück)*

CHF.29.925

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
75 +CHF.0.399CHF.30.16

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-7564
Herst. Teile-Nr.:
STD1NK60-1
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

1A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

IPAK

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

8.5Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

30 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

7nC

Durchlassspannung Vf

1.6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

30W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.4mm

Länge

6.6mm

Breite

6.2 mm

Automobilstandard

Nein

N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics


MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics


Verwandte Links