STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 761-0247
- Herst. Teile-Nr.:
- STU7NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.11.97
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 20. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.2.394 | CHF.11.97 |
| 10 - 95 | CHF.2.016 | CHF.10.08 |
| 100 - 495 | CHF.1.586 | CHF.7.92 |
| 500 - 995 | CHF.1.323 | CHF.6.64 |
| 1000 + | CHF.1.113 | CHF.5.59 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 761-0247
- Herst. Teile-Nr.:
- STU7NM60N
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | MDmesh | |
| Gehäusegröße | IPAK (TO-251) | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.9Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 45W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 25 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 6.6mm | |
| Breite | 2.4 mm | |
| Höhe | 6.9mm | |
| Normen/Zulassungen | ECOPACK | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie MDmesh | ||
Gehäusegröße IPAK (TO-251) | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.9Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 45W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 25 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 6.6mm | ||
Breite 2.4 mm | ||
Höhe 6.9mm | ||
Normen/Zulassungen ECOPACK | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage Leistungs-MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics MDmesh M5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MDmesh V Leistungs-MOSFET Erweiterung 650 V / 12 A 90 W,
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin TO-252
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 45 A 417 W, 3-Pin TO-247
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MDmesh II Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 17 A 125 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 20 A 45 W, 3-Pin STP20NM60FP TO-220
- STMicroelectronics MDmesh Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 5 A 45 W, 3-Pin STD7NM60N TO-252