STMicroelectronics SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.4 A 45 W, 3-Pin IPAK

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RS Best.-Nr.:
151-950
Herst. Teile-Nr.:
STD3NK60Z-1
Marke:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

2.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

600V

Gehäusegröße

IPAK

Serie

SuperMESH

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

3.6Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±30 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

45W

Durchlassspannung Vf

1.6V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

11.8nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN
Der Power-MOSFET von STMicroelectronics wurde mit der Super-MESH-Technologie entwickelt, einer Optimierung des bewährten Power-MESH. Zusätzlich zu einer erheblichen Reduzierung des Einschaltwiderstands sind diese Geräte so konzipiert, dass sie ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleisten.

100% Avalanche-getestet

Minimierung der Gate-Ladung

Sehr geringe Eigenkapazität

Zener-geschützt

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