STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 460 W, 4-Pin ISOTOP
- RS Best.-Nr.:
- 687-5226
- Herst. Teile-Nr.:
- STE40NC60
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stück)*
CHF.36.35
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 12. November 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.36.35 |
| 10 - 49 | CHF.33.53 |
| 50 - 99 | CHF.32.02 |
| 100 - 199 | CHF.28.25 |
| 200 + | CHF.26.35 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-5226
- Herst. Teile-Nr.:
- STE40NC60
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | ISOTOP | |
| Serie | MDmesh, SuperMESH | |
| Montageart | Panel | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 307.5nC | |
| Betriebstemperatur min. | -65°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 460W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 38.2mm | |
| Höhe | 9.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße ISOTOP | ||
Serie MDmesh, SuperMESH | ||
Montageart Panel | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 307.5nC | ||
Betriebstemperatur min. -65°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 460W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 38.2mm | ||
Höhe 9.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
N-Kanal MDmesh™ SuperMESH™, 250 V bis 650 V, STMicroelectronics
MOSFET-Transistoren, STMicroelectronics
Verwandte Links
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 600 V / 40 A 460 W, 4-Pin ISOTOP
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Panel MOSFET Erweiterung 500 V / 53 A 460 W, 4-Pin ISOTOP
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 10.5 A 190 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 950 V / 17.5 A 250 W, 3-Pin
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1 kV / 1.85 A 70 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 1 A 30 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 2.5 A 70 W, 3-Pin IPAK
- STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 1 kV / 2.2 A 90 W, 3-Pin TO-252