Vishay IRFU420 Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 500 V / 2.4 A 42 W, 3-Pin IPAK
- RS Best.-Nr.:
- 152-6352
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFU420PBF
- Marke:
- Vishay
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- IRFU420PBF
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- Vishay
Technische Daten
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 2.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 500V | |
| Serie | IRFU420 | |
| Gehäusegröße | IPAK | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 42W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 2.39mm | |
| Breite | 6.22mm | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 500V | ||
Serie IRFU420 | ||
Gehäusegröße IPAK | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 42W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 2.39mm | ||
Breite 6.22mm | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Leistungs-MOSFET der Serie IRFU420 von Vishay, maximale Drain-Source-Spannung von 500 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 2,4 A – IRFU420PBF
Dieser Leistungs-MOSFET ist ein Hochspannungs-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Steuerungsaufgaben in industriellen Systemen entwickelt wurde. Er arbeitet als N-Kanal-Enhancement-Modus-Gerät, das für Anwendungen geeignet ist, die eine hohe Drain-Source-Spannung und einen moderaten Dauerstrom erfordern, mit einem IPAK 3-Pin-Gehäuse, das für die Integration auf Board-Ebene konzipiert ist.
Merkmale und Vorteile:
• 500 V Drain-Source-Festigkeit für Hochspannungsschaltfähigkeit • 3 Ω RDS(on) für vorhersehbare Leitungsverluste im eingeschalteten Zustand • 2,4 A kontinuierlicher Ablassstrom für dauerhaften Lastbetrieb • 19 nC typische Gate-Ladung zur Unterstützung der Schaltenergiebewertung • Maximale Verlustleistung von 42 W für thermische Designspanne • Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C für breite thermische Umgebungen
Anwendungen
• Geeignet für industrielle Motorantriebs-Gate-Schaltstadien • Ideal für Hochspannungs-Schaltnetzteile • Wird für Netzspannungsschutz und Dämpfungsstromkreise verwendet • Kann in Automatisierungs-Steuerrelais und -Treibern verwendet werden
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte sollten bei der Konstruktion beachtet werden?
Halten Sie die Gate-Auslenkungen innerhalb von ±20 V gegenüber der Quelle, um eine Überlastung des Gate-Oxids zu verhindern und eine langfristige Schaltzuverlässigkeit zu gewährleisten.
Wie sollten thermische Beschränkungen auf der Leiterplatte verwaltet werden?
Verwenden Sie eine ausreichende Kupferfläche und Wärmeleitungen, um bis zu 42 W abzuleiten, und bewerten Sie die Widerstandsfähigkeit der Verbindung zur Umgebung für Ihre Kühlstrategie.
Welche Überlegungen zur Schaltleistung ergeben sich aus der Gate-Ladung?
Budget-Treiberstrom und Slew-Raten um den Gate-Ladungswert von 19 nC zur Steuerung von Schaltverlusten und elektromagnetischen Emissionen während der Übergänge.
Gibt es spezifische Montageempfehlungen für einen zuverlässigen Betrieb?
Als oberflächenmontiertes IPAK-Gerät sorgen Sie für sichere Lötverbindungen und eine geeignete Grundfläche für die Wärmeverteilung, um die Temperatur im Betriebsbereich von -55 °C bis 150 °C aufrechtzuerhalten.
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