ROHM AG091FLD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 76 W, 3-Pin TO-252 (TL)

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Herst. Teile-Nr.:
AG091FLD3HRBTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

AG091FLD3HRB

Gehäusegröße

TO-252 (TL)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Verlustleistung Pd

76W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Länge

10.50mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Breite

6.80 mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für Automobilanwendungen entwickelt und bietet außergewöhnliche Effizienz und Zuverlässigkeit. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 60 V und einer kontinuierlichen Ablassstromkapazität von 80 A gewährleistet dieser MOSFET eine optimale Leistung in anspruchsvollen Umgebungen. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 7,5 mΩ reduziert Leistungsverluste erheblich und eignet sich daher für verschiedene Automobilsysteme und Hochstromanwendungen. Das Gerät ist RoHS-konform mit einer bleifreien Beschichtung, die die Umweltsicherheit gewährleistet und gleichzeitig eine robuste Leistung unter strengen Bedingungen gewährleistet.

Niedriger Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz und geringere Wärmeentwicklung

AEC Q101 qualifiziert, um hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen zu gewährleisten

100 % Avalanche-getestet für erhöhte Sicherheit und Haltbarkeit

Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C für vielseitigen Einsatz

Robuste Verlustleistung von 76 W für hohe Lasten

Klebebandverpackung erleichtert die Handhabung und Montage in Produktionsumgebungen

Die geprägten Verpackungsspezifikationen gewährleisten eine sichere Dynamik während des Transports

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