ROHM RD3L08DBKHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 76 W, 3-Pin TO-252 (TL)

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Herst. Teile-Nr.:
RD3L08DBKHRBTL
Marke:
ROHM
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Marke

ROHM

Produkt Typ

Einfache MOSFETs

Kabelkanaltyp

Typ N

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Serie

RD3L08DBKHRB

Gehäusegröße

TO-252 (TL)

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.5mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

22nC

Maximale Verlustleistung Pd

76W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Normen/Zulassungen

AEC-Q101, RoHS

Breite

6.8 mm

Länge

10.50mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Ursprungsland:
JP
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für hohe Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt und bietet zuverlässige Schaltfunktionen mit niedrigem Einschaltwiderstand und einer robusten Durchschlagsspannung. Das Bauteil ist für einen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 80 A ausgelegt und mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von 60 V sorgt für Effizienz und Langlebigkeit. Es ist ideal für Kfz-Elektronik, Beleuchtung und andere Energiemanagementsysteme, verfügt über eine bleifreie Beschichtung und ist AEC-Q101-qualifiziert, wodurch es den neuesten Industriestandards entspricht. Dieser MOSFET bietet eine Kombination aus außergewöhnlicher thermischer Leistung und Zuverlässigkeit, die ihn zu einer geeigneten Wahl für Ingenieure macht, die ihr Schaltungsdesign optimieren wollen.

Niedriger Einschaltwiderstand von 7,5 mΩ maximiert die Energieeffizienz

Die AEC Q101-Qualifikation gewährleistet hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen

Besteht 100 % Avalanche-Tests für verbesserte Haltbarkeit

Kann einen kontinuierlichen Ablassstrom von bis zu 80 A verarbeiten

Maximale Drain-Source-Nennspannung von 60 V bietet erhebliche Überspannung

Die bleifreie Beschichtung entspricht der RoHS-Richtlinie und fördert die Umweltverantwortung

Vielseitige Verpackung gewährleistet Kompatibilität mit verschiedenen Anwendungsdesigns

Ideal für den Einsatz in ADAS, Infosystemen und Karosseriersteuerungsanwendungen

Geringe Gate-Ladeeigenschaften für schnellere Schaltzeiten

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