ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)

RS Best.-Nr.:: 687-362
Herst. Teile-Nr.:: RD3E08BBJHRBTL
Marke:: ROHM

ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)

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RS Best.-Nr.:: 687-362
Herst. Teile-Nr.:: RD3E08BBJHRBTL
Marke:: ROHM

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	ROHM
	Produkt Typ	Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-30V
	Gehäusegröße	TO-252 (TL)
	Serie	RD3E08BBJHRB
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.7mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	5 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	150nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	142W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	10.50mm
	Höhe	2.3mm
	Normen/Zulassungen	AEC-Q101, RoHS
	Breite	6.8 mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

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	Marke ROHM
	Produkt Typ Einfache MOSFETs
	Kabelkanaltyp Typ P
	Drain-Source-Spannung Vds max. -30V
	Gehäusegröße TO-252 (TL)
	Serie RD3E08BBJHRB
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.7mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 5 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 142W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 10.50mm
	Höhe 2.3mm
	Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS
	Breite 6.8 mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - RD3E08BBJHRBTL

Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die einen niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und eine hohe Strombelastbarkeit erfordern. Dieses robuste Gerät arbeitet mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von -30 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von ±80 A und gewährleistet eine effiziente Leistung in Energiemanagementsystemen. Seine innovative Konstruktion umfasst einen Wärmewiderstand von nur 1,05 °C/W, der die Zuverlässigkeit optimiert und eine effektive Wärmeableitung ermöglicht. Mit der AEC-Q101-Qualifikation eignet sich dieser MOSFET für Automobilanwendungen, die in Umgebungen mit extremen Temperaturschwankungen funktionieren und einen zuverlässigen Betrieb unter schwierigen Bedingungen gewährleisten.

Geringer Widerstand von 3,7 mΩ, erhöht die Effizienz und minimiert den Energieverlust

Impuls-Drain-Strom von ±160 A, geeignet für Anwendungen mit hoher Beanspruchung

Die Gate-Source-Spannung von +5/-20 V gewährleistet einen vielseitigen Betrieb und eine robuste Steuerung

Montage in einem DPAK-Gehäuse für effizientes Wärmemanagement und kompakte Grundfläche

Lawinengeprüft für verbesserte Zuverlässigkeit in elektrischen Umgebungen mit hoher Belastung

Das Produkt ist AEC Q101-qualifiziert und damit ideal für sicherheitskritische Automobilanwendungen.

ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)

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