ROHM AG502EED3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V / 78 A 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-467
- Herst. Teile-Nr.:
- AG502EED3HRBTL
- Marke:
- ROHM
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- AG502EED3HRBTL
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- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 78A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | AG502EED3HRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 6.8mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Länge | 10.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 78A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie AG502EED3HRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 6.8mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Länge 10.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für ein effizientes und zuverlässiges Energiemanagement in Automobilsystemen entwickelt. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von -30 V und einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von bis zu 78 A ist dieses Gerät ideal für anspruchsvolle Anwendungen, die eine robuste Leistungsaufnahme erfordern. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 8,5 mΩ minimiert den Leistungsverlust und trägt zu einer verbesserten thermischen Effizienz bei. Darüber hinaus ist der MOSFET nach den AEC-Q101-Normen qualifiziert, wodurch sichergestellt wird, dass er die strengen Anforderungen der Automobilindustrie an Langlebigkeit und Leistung erfüllt. Mit seinen hervorragenden Avalanche-Eigenschaften und einem weiten Betriebstemperaturbereich gewährleistet der AG502EED3HRB eine gleichbleibende Leistung unter verschiedenen Bedingungen.
Robuste Konstruktion mit AEC Q101-Qualifikation für Automobilanwendungen
Niedriger Einschaltwiderstand von 8,5 mΩ, optimiert die Energieeffizienz
Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 78 A ermöglicht die Handhabung anspruchsvoller Lasten
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C für zuverlässige Leistung
Der Wärmewiderstand von 1,94 °C/W verbessert die Wärmeableitung
100 % Avalanche-getestet, um hohe Zuverlässigkeit unter transienten Bedingungen zu gewährleisten
Pb-freie Beschichtung und Einhaltung der RoHS-Normen für umweltfreundliches Design
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