ROHM RD3N045AT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 17 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-488
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3N045ATTL1
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
CHF.0.904
Auf Lager
- Zusätzlich 2’500 Einheit(en) mit Versand ab 19. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.0.452 | CHF.0.90 |
| 50 - 198 | CHF.0.399 | CHF.0.81 |
| 200 - 998 | CHF.0.368 | CHF.0.74 |
| 1000 - 1998 | CHF.0.294 | CHF.0.58 |
| 2000 + | CHF.0.284 | CHF.0.57 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-488
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3N045ATTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N045AT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 650mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 5.9nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 17W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Länge | 10.50mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N045AT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 650mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 5.9nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 17W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Länge 10.50mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 6.8 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-MOSFET von ROHM wurde für eine Vielzahl von Leistungsanwendungen entwickelt. Mit einer Drain-Source-Nennspannung von -80 V und einer kontinuierlichen Ablassstromfähigkeit von -4,5 A bietet dieser MOSFET eine hervorragende elektrische Leistung für anspruchsvolle Umgebungen. Der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand von 650 mΩ maximiert den Wirkungsgrad und minimiert die Wärmeentwicklung, was zu einer überragenden Gesamtzuverlässigkeit beiträgt. Der RD3N045AT ist RoHS-konform und verfügt über ein robustes TO-252-Gehäuse, das sich ideal für Motorantriebe und andere Schaltanwendungen eignet und einen robusten Betrieb in Szenarien mit hoher Leistung gewährleistet. Das Gerät wird streng auf die Zuverlässigkeit des Gates geprüft und ist außerdem halogenfrei, was umweltfreundliche Praktiken unterstützt.
Niedriger Einschaltwiderstand von 650 mΩ erhöht die Effizienz und reduziert Leistungsverluste
Bietet eine hohe Leistungsaufnahme mit einer maximalen Verlustleistung von 17 W
Ausgelegt für eine maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C, die Zuverlässigkeit unter anspruchsvollen Bedingungen gewährleistet
Impuls-Ablassstromkapazität von ±9 A unterstützt Anwendungen mit transienten Lasten
Gate-Source-Spannungstoleranz von ±20 V ermöglicht flexible Schaltungsentwürfe
Ideal für Motorantriebsanwendungen zur Verbesserung der Leistung von Elektromotoren
RoHS-konforme Konstruktion fördert ökologische Nachhaltigkeit
Geprüft auf 100 % Rg und UIS, um eine robuste Langzeitleistung zu gewährleisten
Verwandte Links
- ROHM RD3N03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 54 W, 3-Pin RD3N03BATTL1 TO-252 (TL)
- ROHM AG501EGD3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 142 W, 3-Pin AG501EGD3HRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3L04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 77 W, 3-Pin RD3L04BBJHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM AG502EED3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin AG502EED3HRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 142 W, 3-Pin RD3E08BBJHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3E07BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin RD3E07BBJHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3P08BBLHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 142 W, 3-Pin RD3P08BBLHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3L08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 142 W, 3-Pin RD3L08BBJHRBTL TO-252 (TL)
