ROHM RD3L04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-468
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L04BBJHRBTL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
CHF.4.39
Auf Lager
- Zusätzlich 100 Einheit(en) mit Versand ab 23. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.195 | CHF.4.39 |
| 20 - 48 | CHF.1.932 | CHF.3.85 |
| 50 - 198 | CHF.1.743 | CHF.3.48 |
| 200 - 998 | CHF.1.407 | CHF.2.81 |
| 1000 + | CHF.1.365 | CHF.2.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-468
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L04BBJHRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L04BBJHRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 30mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L04BBJHRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 30mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.8 mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für effizientes Schalten in Automobil- und Industrieanwendungen entwickelt. Dieses Bauteil hält einer Ablass-Quellenspannung von -60 V und einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von ±48 A stand und gewährleistet eine zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen. Mit einem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand von 30 mΩ optimiert er die Verlustleistung und erhöht so die Gesamteffizienz des Systems. Das Produkt ist außerdem AEC-Q101-qualifiziert und zu 100 % Avalanche-getestet, was es zu einer idealen Wahl für kritische Anwendungen macht, bei denen Zuverlässigkeit an erster Stelle steht.
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand fördert die Energieeffizienz
Die AEC Q101-Qualifikation gewährleistet hohe Zuverlässigkeit in Automobilanwendungen
100 % Avalanche-Test gewährleistet die Leistung unter Belastung
Kompatibel mit einem breiten Temperaturbereich von -55 °C bis 175 °C für vielseitigen Einsatz
Die Avalanche-Energiefähigkeit von 34,9 mJ erhöht die Robustheit unter dynamischen Bedingungen
Vollständige elektrische Eigenschaften bei 25 °C ermöglichen eine präzise Anwendung in Designs
Die geprägte Verpackung garantiert eine sichere und effiziente Lagerung und Handhabung
Optimiert für verschiedene Anwendungen, einschließlich ADAS, Infotainment und Beleuchtung
Verwandte Links
- ROHM AG502EED3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3E07BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3N045AT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 17 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3P08BBLHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3G04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 53 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3L08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM AG501EGD3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)