ROHM RD3P08BBLHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V / 80 A 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-355
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P08BBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (2 Stück, auf einem Band mit 2)*
CHF 6.91
Auf Lager
- 96 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 3.454 | CHF 6.91 |
| 20 - 98 | CHF 3.05 | CHF 6.10 |
| 100 - 198 | CHF 2.727 | CHF 5.46 |
| 200 + | CHF 2.141 | CHF 4.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-355
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3P08BBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | RD3P08BBLHRB | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 142W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Breite | 6.8mm | |
| Länge | 10.5mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie RD3P08BBLHRB | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 142W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Breite 6.8mm | ||
Länge 10.5mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für robuste Anwendungen entwickelt, die ein effizientes Schalten erfordern. Mit einer maximalen Nennspannung von 100 V und einem kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A bietet dieses Bauteil ein zuverlässiges Energiemanagement. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von nur 6,2 mΩ sorgt für minimalen Energieverlust während des Betriebs, was für die Steigerung der Effizienz von Stromversorgungen entscheidend ist. Dieser MOSFET unterstützt eine Vielzahl von kommutierten Stromanwendungen und ist AEC-Q101-qualifiziert, wodurch er sich für Automobilumgebungen eignet. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht eine verbesserte thermische Leistung bei beengten Platzverhältnissen.
Niedriger Widerstand erhöht die Energieeffizienz und reduziert die Wärmeentwicklung
100 V Drain-Source-Nennspannung unterstützt verschiedene Hochspannungsanwendungen
Der kontinuierliche Ablassstrom von 80 A ermöglicht eine zuverlässige Leistung unter schweren Lasten
AEC Q101 qualifiziert, um hohe Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen zu gewährleisten
Kompaktes TO-252-Gehäuse für ein besseres Wärmemanagement und platzsparende Designs
Robuste Lawinenfestigkeit gewährleistet Sicherheit bei transienten Bedingungen
Hohe Verlustleistung von 142 W für anspruchsvolle Betriebsanforderungen
Pb-freie Beschichtung und RoHS-Konformität in Übereinstimmung mit umweltfreundlichen Praktiken
Verwandte Links
- ROHM RD3L08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM AG501EGD3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM AG194FPD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 142 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3E07BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3N03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 54 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM RD3L04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- ROHM AG502EED3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)