ROHM RD3N03BAT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 54 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-384
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3N03BATTL1
- Marke:
- ROHM
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- RS Best.-Nr.:
- 687-384
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3N03BATTL1
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3N03BAT | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 56mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 50nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 54W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | AEC-Q101, RoHS | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3N03BAT | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 56mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 50nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 54W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen AEC-Q101, RoHS | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Breite 6.8 mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
- Ursprungsland:
- JP
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für einen effizienten Betrieb in einer Vielzahl von Anwendungen entwickelt, einschließlich Motorantrieben und Schaltkreisen. Mit einer maximalen Ablass-Quellenspannung von -80 V und einer kontinuierlichen Ablassstromkapazität von -30 A ist dieses Gerät für eine robuste Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen ausgelegt. Sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 56 mΩ sorgt für einen optimalen Wirkungsgrad und minimiert die Energieverluste während des Betriebs. Darüber hinaus ermöglicht das TO-252-Gehäuse eine einfache Integration in elektronische Designs und bietet Vielseitigkeit und Zuverlässigkeit in kompakten Formfaktoren. Der RD3N03BAT ist außerdem RoHS-konform und halogenfrei, was ihn zu einer geeigneten Wahl für umweltbewusste Designs macht.
Niedriger Einschaltwiderstand für verbesserte Effizienz und geringeres Wärmemanagement
Hohe Leistung in einem kompakten TO-252-Gehäuse für vielseitige Anwendungen
RoHS- und halogenfreie Konformität gewährleistet Umweltsicherheit für moderne Elektronik
Umfassende Tests, einschließlich Rg und UIS, garantieren zuverlässigen Betrieb und Leistung
Breiter Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +150 °C unterstützt verschiedene Umgebungsbedingungen
Entwickelt mit zuverlässigen Avalanche-Energiewerten für erhöhte Sicherheit bei transienten Bedingungen
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