ROHM RD3E07BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-470
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3E07BBJHRBTL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
CHF.1.954
Auf Lager
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.0.977 | CHF.1.95 |
| 20 - 48 | CHF.0.861 | CHF.1.72 |
| 50 - 198 | CHF.0.777 | CHF.1.55 |
| 200 - 998 | CHF.0.63 | CHF.1.25 |
| 1000 + | CHF.0.609 | CHF.1.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-470
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3E07BBJHRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3E07BBJHRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.5mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 5 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 52nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 77W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 10.50mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -30V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3E07BBJHRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 5 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 52nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 77W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6.8 mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 10.50mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für hohe Leistung in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt. Mit einem maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von ±78 A und einer Durchschlagsspannung von -30 V ist dieser MOSFET ideal für den Einsatz in Automobil- und Industrieumgebungen, die eine hohe Effizienz erfordern. Sein kompaktes DPAK-Gehäuse ermöglicht eine einfache Integration in verschiedene Designs, während sein niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand von 8,5 mΩ den Energieverlust erheblich reduziert. Das Produkt ist außerdem AEC-Q101-qualifiziert, was die Zuverlässigkeit unter rauen Bedingungen gewährleistet und es zu einer perfekten Wahl für Entwickler macht, die hochwertige und langlebige Komponenten für ihre elektronischen Anwendungen suchen.
Geringer Widerstand für verbesserte Effizienz und geringere Wärmeentwicklung
Bietet eine maximale Verlustleistung von 77 W für Anwendungen mit hoher Leistung
Entwickelt, um einem weiten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis +175 °C standzuhalten
AEC Q101 qualifiziert, um hohe Zuverlässigkeit für Automobilanwendungen zu gewährleisten
100 % Avalanche-Test für verbesserte Haltbarkeit unter Belastung
Erfüllt die Pb- und RoHS-Normen für eine umweltfreundliche Nutzung
Verpackt im DPAK-Format für einfache Montage und Integration
Unterstützt einen gepulsten Ablassstrom von ±156 A für dynamische Lastbedingungen.
Verwandte Links
- ROHM RD3L04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 77 W, 3-Pin RD3L04BBJHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM AG502EED3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 77 W, 3-Pin AG502EED3HRBTL TO-252 (TL)
- ROHM AG501EGD3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 142 W, 3-Pin AG501EGD3HRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3N045AT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 17 W, 3-Pin RD3N045ATTL1 TO-252 (TL)
- ROHM RD3E08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -30 V 142 W, 3-Pin RD3E08BBJHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3P08BBLHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 100 V 142 W, 3-Pin RD3P08BBLHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3L08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 142 W, 3-Pin RD3L08BBJHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3G04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 53 W, 3-Pin RD3G04BBJHRBTL TO-252 (TL)