ROHM RD3L08DBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 76 W, 3-Pin TO-252 (TL)
- RS Best.-Nr.:
- 687-458
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L08DBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2 Stück)*
CHF.4.41
Vorübergehend ausverkauft
- 100 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Gurtabschnitt* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.2.205 | CHF.4.41 |
| 20 - 48 | CHF.1.953 | CHF.3.90 |
| 50 - 198 | CHF.1.754 | CHF.3.51 |
| 200 - 998 | CHF.1.407 | CHF.2.83 |
| 1000 + | CHF.1.365 | CHF.2.73 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 687-458
- Herst. Teile-Nr.:
- RD3L08DBLHRBTL
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | Einfache MOSFETs | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-252 (TL) | |
| Serie | RD3L08DBLHRB | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.6mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 76W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 | |
| Länge | 10.50mm | |
| Breite | 6.8 mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ Einfache MOSFETs | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-252 (TL) | ||
Serie RD3L08DBLHRB | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.6mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 76W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 | ||
Länge 10.50mm | ||
Breite 6.8 mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Leistungs-MOSFET von ROHM wurde für anspruchsvolle Anwendungen entwickelt, die einen hohen Wirkungsgrad und eine robuste Leistung erfordern. Dieser 60-V-80-A-N-Kanal-MOSFET verfügt über einen extrem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und bietet eine hervorragende elektrische Leistung bei gleichzeitiger Gewährleistung der Zuverlässigkeit. Er ist für den optimalen Betrieb in verschiedenen Umgebungen ausgelegt und eignet sich daher ideal für Automobilanwendungen, einschließlich fortschrittlicher Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und Beleuchtung. Durch die Einhaltung der AEC-Q101 und 100 % Avalanche-Tests gewährleistet dieses Bauteil hohe Standards für Sicherheit und Effizienz in jedem elektronischen Design. Die kompakte Verpackung ermöglicht eine einfache Integration in platzbeschränkte Layouts.
Geringer Widerstand von 7,6 mΩ, der die Effizienz der Leistungsübertragung verbessert
Ausgelegt für einen maximalen kontinuierlichen Ablassstrom von 80 A, der die Zuverlässigkeit bei erheblichen Lasten gewährleistet
Mit einer breiten Drain-Source-Spannung von 60 V, geeignet für verschiedene Hochspannungsanwendungen
Alle Produkte sind RoHS-konform und unterstützen umweltfreundliches Design
100 % Avalanche-getestet für erhöhte Zuverlässigkeit und Langlebigkeit der Komponenten
Entwickelt in einem DPAK TO-252-Gehäuse für die einfache Montage in kompakten Schaltungen
Bietet einen breiten Betriebstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C und gewährleistet Leistung unter extremen Bedingungen
Qualifiziert nach AEC Q101, ideal für Automobil- und Anwendungen mit hoher Zuverlässigkeit
Verwandte Links
- ROHM AG091FLD3HRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 76 W, 3-Pin AG091FLD3HRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3L08DBKHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 76 W, 3-Pin RD3L08DBKHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3G08DBKHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 40 V 76 W, 3-Pin RD3G08DBKHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3L04BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 77 W, 3-Pin RD3L04BBJHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3L08CBLHRB Typ N-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 96 W, 3-Pin RD3L08CBLHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3L08BBJHRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 60 V 142 W, 3-Pin RD3L08BBJHRBTL TO-252 (TL)
- ROHM AG501EGD3HRB Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung -40 V 142 W, 3-Pin AG501EGD3HRBTL TO-252 (TL)
- ROHM RD3N045AT Typ P-Kanal, Oberfläche Einfache MOSFETs Erweiterung 80 V 17 W, 3-Pin RD3N045ATTL1 TO-252 (TL)