Infineon Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 30 V / 7.7 A, 8-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 258-7692
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO220N03MDGXUMA1
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 258-7692
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO220N03MDGXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 27mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 27mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET OptiMOS 3 M von Infineon hat eine extrem niedrige Gate- und Ausgangsladung sowie den niedrigsten Widerstand im eingeschalteten Zustand in kleinen Gehäusen, womit er die beste Wahl für die anspruchsvollen Anforderungen von Spannungsreglerlösungen in Servern, Daten- und Telekommunikationsanwendungen ist.
Erhöhte Batterielebensdauer
Einfach in der Planung
Verringerung der Leistungsverluste
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