Vishay Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 50 V / 5.3 A 25 W, 3-Pin IRFR9010TRPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*

CHF.6.72

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 1’980 Einheit(en) mit Versand ab 06. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
10 +CHF.0.672CHF.6.72

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
256-7311
Herst. Teile-Nr.:
IRFR9010TRPBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5.3A

Drain-Source-Spannung Vds max.

50V

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.5Ω

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Höhe

2.39mm

Automobilstandard

Nein

Die P-Kanal-SMD-Gehäuse von Vishay Semiconductor verbessern die Stromkreisleistung durch Reduzierung von Streuinduktivitäten und Kapazität. Das DPAK-SMD-Gehäuse bietet die Vorteile von Leistungs-MOSFETs für Anwendungen mit hohem Volumen, bei denen eine SMD-Montage auf der PC-Platine wünschenswert ist.

Dynamische dV/dt-Nennleistung

Wiederholte Lawinenbelastbarkeit

Einfache Antriebsanforderungen

Einfache Parallelstellung

Verwandte Links