Vishay IRFR9010 Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET -50 V / -5.3 A 25 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 256-7311
Herst. Teile-Nr.:: IRFR9010TRPBF
Marke:: Vishay

Vishay IRFR9010 Typ P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET -50 V / -5.3 A 25 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ P
	Produkt Typ	Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	-5.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	-50V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IRFR9010
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.5Ω
	Maximale Verlustleistung Pd	25W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	9.1nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	-5.5V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	2.39mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ P
	Produkt Typ Leistungs-MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id -5.3A
	Drain-Source-Spannung Vds max. -50V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IRFR9010
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.5Ω
	Maximale Verlustleistung Pd 25W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 9.1nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf -5.5V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 2.39mm
	Automobilstandard Nein

Leistungs-MOSFET der Serie IRFR9010 von Vishay, -50 V maximale Drain-Quellenspannung, 25 W maximale Verlustleistung – IRFR9010TRPBF

Dieser Leistungs-MOSFET ist ein P-Kanal-Oberflächenmontage-Gerät, das für die Leistungsschaltung in elektronischen und industriellen Systemen entwickelt wurde. Er liefert kontrollierte Leitfähigkeit für Schaltvorgänge mit negativer Spannung und ist für Anwendungen vorgesehen, die eine moderate Strombelastbarkeit und Wärmebeständigkeit in einem kompakten TO-252-Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Die Drain-Source-Nennleistung von -50 V ermöglicht das Schalten bei negativer Spannung • Kontinuierlicher Ablassstrom von 5,3 A unterstützt Lasten mittlerer Leistung • 0,5 Ω Rds(on) reduziert Leitungsverluste unter Last • 25 W Verlustleistung ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme • 9,1 nC typische Gate-Ladung unterstützt moderate Schaltgeschwindigkeiten • Ausgelegt für eine maximale Betriebstemperatur von +150 °C für den Einsatz bei hohen Temperaturen

Anwendungen

• Geeignet für Batterieschutz- und Polaritätsschalterkreise • Ideal für das Energiemanagement in Automatisierungssteuerungen • Wird für das Schalten von Lasten mit umgekehrter Polarität in elektrischen Systemen verwendet • Kann für Mittelstrom-MOSFET-Stufen in Netzteilen verwendet werden • Geeignet für kompakte Baugruppen für die Oberflächenmontage, die eine P-Kanal-Schaltung erfordern

Welches Befestigungsformat verwendet es und wie wirkt sich das auf thermische Wege aus?

Das Gerät wird in einem TO-252 (DPAK)-Gehäuse für die Oberflächenmontage geliefert, das eine Metallfahne und eine Leiterplatten-Erdung für die Wärmeübertragung bietet, um die Wärmeableitung in die Leiterplatte zu verbessern.

Was sind die Gate-Spannungsgrenzen, um Geräteschäden zu vermeiden?

Die Gate-Source-Spannung muss innerhalb von ±20 V gehalten werden, um eine Überbelastung des Gate-Oxids zu verhindern.

Wie beeinflusst die Umgebungstemperatur den zulässigen Betrieb?

Die maximale Verbindungsbelastbarkeit von +150 °C definiert die obere thermische Grenze

sollten Entwickler den Strom reduzieren und eine ausreichende Leiterplattenkühlung gewährleisten, wenn die Umgebungstemperatur ansteigt.

Welche Pinanzahl und -konfiguration sollten bei der Entwicklung von Leiterplatten-Abmessungen erwartet werden?

Das Gehäuse verwendet drei Pins, die mit den Standard-TO-252-Pinouts übereinstimmen, was ein einfaches Footprint-Design für Drain-, Gate- und Quellenanschlüsse ermöglicht.