STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, Oberfläche Leistungs-MOSFET Erweiterung 700 V / 6 A 47 W, 2-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 719-637
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT350R70GTK
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 719-637
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT350R70GTK
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | P-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | G-HEMT | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 2 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 350mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | -1.4, 7V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 47W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.7mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp P-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie G-HEMT | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 2 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 350mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs -1.4, 7V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 47W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.7mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Länge 6.2mm | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der 700-V-6-A-e-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer bewährten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen. Empfohlen für Verbraucher-QR-Anwendungen mit Nullstrom-Einschaltung.
Verstärkungsmodus normalerweise ausgeschalteter Transistor
Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit
Extrem niedrige Kapazitäten
Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Führung
Keine umgekehrte Wiederherstellungsaufladung
ESD-Schutz
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