STMicroelectronics G-HEMT, Oberfläche MOSFET Erweiterung 750 V / 15 A, 4-Pin Trommel
- RS Best.-Nr.:
- 265-1034
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT120R65AL
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 265-1034
- Herst. Teile-Nr.:
- SGT120R65AL
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 750V | |
| Serie | G-HEMT | |
| Gehäusegröße | Trommel | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 750V | ||
Serie G-HEMT | ||
Gehäusegröße Trommel | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der E-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics wird mit einer etablierten Verpackungstechnologie kombiniert. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Strombelastbarkeit und extrem schnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und unschlagbare Effizienz zu ermöglichen.
Verbesserungsmodus: Transistor normalerweise ausgeschaltet
Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit
Hohe Leistungsmanagementfähigkeit
Extrem niedrige Kapazitäten
Kelvin-Quelle für optimalen Gate-Antrieb
Null umgekehrte Erholungsladung
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