STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Transistor Erweiterung 700 V / 21.7 A 158 W, 8-Pin PowerFLAT

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.2.959

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.2.96
10 - 24CHF.2.60
25 - 99CHF.2.34
100 - 499CHF.1.90
500 +CHF.1.86

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
719-633
Herst. Teile-Nr.:
SGT105R70ILB
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Transistor

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

21.7A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Serie

G-HEMT

Gehäusegröße

PowerFLAT

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

105mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

158W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.8nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

8.1mm

Höhe

0.9mm

Ursprungsland:
CN
Der 700-V-21,7-A-e-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer etablierten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und einen ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen.

Verstärkungsmodus normalerweise ausgeschalteter Transistor

Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit

Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit

Extrem niedrige Kapazitäten

Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Führung

Keine umgekehrte Wiederherstellungsaufladung

ESD-Schutz

Verwandte Links