STMicroelectronics G-HEMT P-Kanal, SMD Transistor Erweiterung 700 V / 10 A 76 W, 8-Pin PowerFLAT

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.1.081

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 11. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 +CHF.1.08

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
719-636
Herst. Teile-Nr.:
SGT240R70ILB
Marke:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Transistor

Kabelkanaltyp

P-Kanal

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

10A

Drain-Source-Spannung Vds max.

700V

Gehäusegröße

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Montageart

SMD

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

240mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

2nC

Maximale Verlustleistung Pd

76W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

0.9mm

Länge

8.1mm

Ursprungsland:
CN
Der 700-V-10-A-e-Mode-PowerGaN-Transistor von STMicroelectronics kombiniert mit einer etablierten Verpackungstechnologie. Das resultierende G-HEMT-Gerät bietet extrem niedrige Leitungsverluste, hohe Stromvermögen und einen ultraschnellen Schaltbetrieb, um eine hohe Leistungsdichte und eine unschlagbare Effizienzleistung zu ermöglichen.

Verstärkungsmodus normalerweise ausgeschalteter Transistor

Sehr hohe Schaltgeschwindigkeit

Hohe Leistungsmanagement-Fähigkeit

Extrem niedrige Kapazitäten

Kelvin-Source-Pad für optimale Gate-Führung

Keine umgekehrte Wiederherstellungsaufladung

ESD-Schutz

Verwandte Links