Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 200 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

CHF.71.40

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 900 Einheit(en) mit Versand ab 05. Januar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50CHF.1.428CHF.71.24
100 - 450CHF.1.145CHF.57.33
500 - 950CHF.0.924CHF.45.94
1000 +CHF.0.788CHF.39.53

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
256-7326
Herst. Teile-Nr.:
IRL640PBF
Marke:
Vishay
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

17A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-220

Montageart

Durchsteckmontage

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.028Ω

Gate-Source-spannung max Vgs

±10 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

66nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

125W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.65mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle gewerblichen und industriellen Anwendungen mit einer Verlustleistung von ca. 50 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Kosten des TO-220AB-Gehäuses tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der gesamten Branche bei.

Dynamische dV/dt-Nennleistung

Wiederholbare Lawinenbeständigkeit

Gate-Antrieb auf Logik-Ebene

Schnelles Schalten

Einfache Parallelstellung

Einfache Antriebsanforderungen

Verwandte Links