Vishay Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 60 V / 20 A 125 W, 3-Pin IRLIZ34GPBF TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 256-7331
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLIZ34GPBF
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.3.192 | CHF.15.94 |
| 10 - 20 | CHF.2.877 | CHF.14.39 |
| 25 - 95 | CHF.2.825 | CHF.14.11 |
| 100 - 495 | CHF.2.321 | CHF.11.60 |
| 500 + | CHF.1.89 | CHF.9.47 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7331
- Herst. Teile-Nr.:
- IRLIZ34GPBF
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.028Ω | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 125W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.8mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.028Ω | ||
Maximale Verlustleistung Pd 125W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.8mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET der dritten Generation von Vishay Semiconductor bietet dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem Widerstand im eingeschalteten Zustand und Kosteneffizienz. Der TO-220 FULLPAK beseitigt den Bedarf an zusätzlicher Isolierungshardware in gewerblichen und industriellen Anwendungen. Die verwendete Formverbindung bietet eine hohe Isolierungskapazität und einen niedrigen Wärmewiderstand zwischen dem Flachstecker und dem externen Kühlkörper.
Isoliertes Gehäuse
Die Hochspannungsisolierung beträgt 2,5 kV eff
Der Abstand zwischen Sink und Kabel beträgt 4,8 mm
Gate-Antrieb auf Logik-Ebene
Schnelles Schalten
Einfache Parallelstellung
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