Vishay N-Kanal, Oberfläche MOSFET 8 V / 6.3 A, 4-Pin WLCSP
- RS Best.-Nr.:
- 256-7396
- Herst. Teile-Nr.:
- SI8424CDB-T1-E1
- Marke:
- Vishay
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- RS Best.-Nr.:
- 256-7396
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- SI8424CDB-T1-E1
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 6.3A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 8V | |
| Gehäusegröße | WLCSP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.024Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 600μm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.3A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 8V | ||
Gehäusegröße WLCSP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 4 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.024Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 600μm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal von Vishay Semiconductor 8 V, 6,3 A (Ta), 1,1 W (Ta), 2,7 W (Tc) hat eine SMD-Montage mit 4-Mikrofuß-Gehäusetyp und seine Anwendungen sind mobile Computing, Smartphones, Tablet-PCs.
TrenchFET Power Mosfet
Niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Ultrakleine maximale Umrissgröße von 1,6 x 1,6 mm
Extrem dünn, maximale Höhe 0,6 mm
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