Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 60 A PowerPAK SO-8L

RS Best.-Nr.:: 256-7418
Herst. Teile-Nr.:: SIJ482DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 60 A PowerPAK SO-8L

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.2’679.00

Auf Lager

3’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Zusätzlich 3’000 Einheit(en) mit Versand ab 13. März 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	CHF.0.893	CHF.2’677.50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 256-7418
Herst. Teile-Nr.:: SIJ482DP-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	60A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	PowerPAK SO-8L
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0095Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße PowerPAK SO-8L
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIJ482DP-T1-GE3

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor 80 V (D-S) 60 A (Tc) 5 W (Ta), 69,4 W (Tc) für SMD-Montage und seine Anwendungen sind DC, DC Primärseitenschalter, synchroner Gleichrichter, Hochstromschaltung.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Kann mit 5-V-Gate-Antrieb betrieben werden

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 60 A PowerPAK SO-8L

Verwandte Links