Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 60 A PowerPAK SO-8L
- RS Best.-Nr.:
- 256-7419
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJ482DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | CHF.1.554 | CHF.3.12 |
| 50 - 98 | CHF.1.407 | CHF.2.80 |
| 100 - 248 | CHF.1.281 | CHF.2.56 |
| 250 - 998 | CHF.1.25 | CHF.2.50 |
| 1000 + | CHF.0.903 | CHF.1.80 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 256-7419
- Herst. Teile-Nr.:
- SIJ482DP-T1-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 60A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Gehäusegröße | PowerPAK SO-8L | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.0095Ω | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 60A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Gehäusegröße PowerPAK SO-8L | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0095Ω | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor 80 V (D-S) 60 A (Tc) 5 W (Ta), 69,4 W (Tc) für SMD-Montage und seine Anwendungen sind DC, DC Primärseitenschalter, synchroner Gleichrichter, Hochstromschaltung.
TrenchFET Power Mosfet
100 % Rg- und UIS-geprüft
Kann mit 5-V-Gate-Antrieb betrieben werden
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