Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 60 A SIJ482DP-T1-GE3 PowerPAK SO-8L

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RS Best.-Nr.:
256-7419
Herst. Teile-Nr.:
SIJ482DP-T1-GE3
Marke:
Vishay
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Marke

Vishay

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

60A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PowerPAK SO-8L

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0095Ω

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der N-Kanal-MOSFET von Vishay Semiconductor 80 V (D-S) 60 A (Tc) 5 W (Ta), 69,4 W (Tc) für SMD-Montage und seine Anwendungen sind DC, DC Primärseitenschalter, synchroner Gleichrichter, Hochstromschaltung.

TrenchFET Power Mosfet

100 % Rg- und UIS-geprüft

Kann mit 5-V-Gate-Antrieb betrieben werden

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