Teile-Nr.

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A PowerPAIR 3 x 3 S.

RS Best.-Nr.:: 256-7436
Herst. Teile-Nr.:: SIZ260DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A PowerPAIR 3 x 3 S.

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.1’419.00

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 18. Mai 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
3000 +	CHF.0.473	CHF.1’420.65

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 256-7436
Herst. Teile-Nr.:: SIZ260DT-T1-GE3
Marke:: Vishay

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Vishay
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	8.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	80V
	Gehäusegröße	PowerPAIR 3 x 3 S.
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.0149Ω
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Vishay
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 80V
	Gehäusegröße PowerPAIR 3 x 3 S.
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.0149Ω
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - SIZ260DT-T1-GE3

Der Zweifach-N-Kanal 80 V (D-S) von Vishay Semiconductor verbessert seine optimierten Qgs, das Qgs-Verhältnis verbessert die Schaltereigenschaften und Anwendungen POL, synchroner Abwärtswandler, Telekommunikation DC, DC, Resonanzwandler, Motorantriebssteuerung.

TrenchFET gen IV Leistungs-MOSFETs

100 % Rg- und UIS-geprüft

Integrierte MOSFET-Halbbrücken-Leistungsstufe

Vishay Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 80 V / 8.9 A PowerPAIR 3 x 3 S.

Verwandte Links