Teile-Nr.

Infineon IRF Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6.8 A 2 W, 8-Pin SO-8

RS Best.-Nr.:: 257-5510
Herst. Teile-Nr.:: IRF9389TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon IRF Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6.8 A 2 W, 8-Pin SO-8

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
4000 +	CHF.0.263	CHF.1’041.60

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RS Best.-Nr.:: 257-5510
Herst. Teile-Nr.:: IRF9389TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Rechtliche Anforderungen

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ P, Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	6.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Serie	IRF
	Gehäusegröße	SO-8
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	2W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	8.1nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS Compliant

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ P, Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 6.8A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Serie IRF
	Gehäusegröße SO-8
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 2W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 8.1nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen RoHS Compliant

Infineon IRF Typ P, Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 6.8 A 2 W, 8-Pin SO-8

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