Infineon IRF7425 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V 2.5 W, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 257-5500
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7425TRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 257-5500
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7425TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Serie | IRF7425 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 8.2mΩ | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±12 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.5W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 87nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Serie IRF7425 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.2mΩ | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±12 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.5W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 87nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Verwandte Links
- Infineon IRF7425 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon IRF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 10 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon IRF7410 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -12 V / 13 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon Si4435DYPbF Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 8 A 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 14.9 A 2.5 W, 8-Pin DSO
- Infineon Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 3.44 A, 8-Pin SO-8
- Infineon BSO080P03S H OptiMOSTM-P Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -30 V / -14.9 A 2.5 W, 8-Pin PG-DSO-8
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 16 A 2.5 W, 8-Pin SOIC