Infineon Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 3.44 A, 8-Pin SO-8
- RS Best.-Nr.:
- 258-0703
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO613SPVGXUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
CHF.920.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 27. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | CHF.0.368 | CHF.913.50 |
| 5000 + | CHF.0.357 | CHF.892.50 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0703
- Herst. Teile-Nr.:
- BSO613SPVGXUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 3.44A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SO-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 3.44A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SO-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Feldwirkungstransistor mit P-Kanal-Verbesserungsmodus von Infineon ist eine äußerst innovative OptiMOS-Familie mit P-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Diese Produkte erfüllen konsequent die höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen in wichtigen Spezifikationen für die Entwicklung von Stromversorgungssystemen, wie z. B. Widerstand im eingeschalteten Zustand und Verdienstmerkmale.
Verstärkungsmodus
Avalanche-geschützt
Schnelles Schalten
Dv/dt-Nennleistung
Bleifreie Bleibeschichtung
Verwandte Links
- Infineon Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 3.44 A, 8-Pin SO-8
- Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET / 5 A, 8-Pin SO-8
- Infineon IPI Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 136 A TDSON
- Infineon iPB Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 60 V / 180 A TSDSON
- Infineon BSC Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 78.6 A, 8-Pin TDSON
- Infineon BSZ Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 30 V / 39.5 A, 8-Pin TSDSON
- Infineon IRF7425 Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET -20 V 2.5 W, 8-Pin SO-8
- Infineon OptiMOS Power Transistor Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / -19.6 A 83 W, 8-Pin PG-TDSON-8
