Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Leiterplattenmontage MOSFET 100 V / 180 A TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRLS4030TRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-263

Montageart

Leiterplattenmontage

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.3mΩ

Durchlassspannung Vf

1.3V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der HEXFET-Leistungs-MOSFET von Infineon ist für die Ansteuerung auf Logikebene optimiert, hat einen sehr niedrigen RDS-Wert bei 4,5 V VGS und wird für die Ansteuerung von Gleichstrommotoren, die hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in Schaltnetzteilen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Hochgeschwindigkeitsschaltungen, hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen verwendet.

Hervorragender R*Q bei 45 V VGS

Verbesserte Gate-, Avalanche- und dynamische dV/dt-Robustheit

Vollständig charakterisierte Kapazität und Avalanche-SOA

Verbesserte Body-Diode dV/dt und dI/dt-Fähigkeit

Bleifrei

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