Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 27 A 104 W, 8-Pin IRFH5215TRPBF PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-5871
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5215TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 27 A 104 W, 8-Pin IRFH5215TRPBF PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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125 - 245	CHF.1.565	CHF.7.83
250 - 495	CHF.1.449	CHF.7.25
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RS Best.-Nr.:: 257-5871
Herst. Teile-Nr.:: IRFH5215TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	27A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	150V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	58mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	104W
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	21nC
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	6mm
	Breite	5 mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Höhe	0.9mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 27A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 150V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 58mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 104W
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 21nC
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 6mm
	Breite 5 mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Höhe 0.9mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFH5215TRPBF

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Niedriger RDSon (< 58 m)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)

100 % Rg getestet

Niedrige Bauform (<09 mm)

Pinout nach Industriestandard

Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken

RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich

MSL1, industrielle Qualifikation

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 27 A 104 W, 8-Pin IRFH5215TRPBF PQFN

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