Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 150 V / 27 A 104 W, 8-Pin PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.9.66

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 4’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.932CHF.9.66
50 - 120CHF.1.659CHF.8.31
125 - 245CHF.1.565CHF.7.83
250 - 495CHF.1.449CHF.7.25
500 +CHF.1.355CHF.6.76

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
257-5871
Herst. Teile-Nr.:
IRFH5215TRPBF
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

27A

Drain-Source-Spannung Vds max.

150V

Gehäusegröße

PQFN

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

58mΩ

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

104W

Durchlassspannung Vf

1.3V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

21nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

0.9mm

Länge

6mm

Breite

5 mm

Automobilstandard

Nein

Infineons strongIRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für einen niedrigen RDS-Wert und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Niederfrequenzanwendungen, bei denen Leistung und Robustheit gefragt sind. Das umfassende Portfolio deckt eine breite Palette von Anwendungen ab, darunter Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und Gleichstromwandler.

Niedriger RDSon (< 58 m)

Niedriger Wärmewiderstand zur Leiterplatte (<12 °C/W)

100 % Rg getestet

Niedrige Bauform (<09 mm)

Pinout nach Industriestandard

Kompatibel mit bestehenden Oberflächenmontagetechniken

RoHS-konform, enthält kein Blei, kein Bromid und kein Halogen, umweltfreundlich

MSL1, industrielle Qualifikation

Verwandte Links