Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W IRFH7440TRPBF PQFN

RS Best.-Nr.:: 257-9382
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7440TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W IRFH7440TRPBF PQFN

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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125 - 245	CHF.1.502	CHF.7.52
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RS Best.-Nr.:: 257-9382
Herst. Teile-Nr.:: IRFH7440TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	159A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	PQFN
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2.4mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	92nC
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd	104W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	5mm
	Höhe	0.9mm
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Breite	6 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 159A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße PQFN
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.4mΩ
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 92nC
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Verlustleistung Pd 104W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 5mm
	Höhe 0.9mm
	Normen/Zulassungen RoHS
	Breite 6 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFH7440TRPBF

Die IRFH-Serie von Infineon ist ein 40-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem PQFN 5x6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

Weicheres Gehäuse-Diode im Vergleich zur vorherigen Silizium-Generation

Breites Portfolio verfügbar

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 159 A 104 W IRFH7440TRPBF PQFN

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