Infineon N-Kanal, THT MOSFET 60 V / 148 A Direkte FET, große Dose
- RS Best.-Nr.:
- 257-9316
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7748L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
- RS Best.-Nr.:
- 257-9316
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF7748L1TRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 148 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | Direkte FET, große Dose | |
| Montage-Typ | THT | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 148 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße Direkte FET, große Dose | ||
Montage-Typ THT | ||
Die IRF-Serie von Infineon ist ein 60-V-Einfach-N-Kanal-IRFET-Leistungs-Mosfet in einem direkten FET-L6-Gehäuse. Die starke IRFET-Leistungs-MOSFET-Familie ist für niedrige RDS (Ein) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio richtet sich an eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich Gleichstrommotoren, Batteriemanagementsystemen, Wechselrichtern und DC/DC-Wandlern.
Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweifachseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)
Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard
Hoher Nennstrom
Zweifachseitige Kühlung
Geringe Gehäusehöhe von 0,7 mm
Gehäuse mit geringer Parasiteninduktivität (1 bis 2 nH)
100 % bleifrei (keine RoHS-Ausnahmeregelung)
Verwandte Links
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 30 V / 160 A Direkt-FET, mittelgroße Dose
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 124 A Direkte FET, große Dose
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 40 V / 217 A Direkte FET ME
- Infineon HEXFET N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 160 A DirectFET Große Dose
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 67 A, 15-Pin DirectFET2 Große Dose
- Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 35 A, 7-Pin DirectFET Medium Dose
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 150 V / 148 A, 9-Pin PG-TTFN-9
- Infineon IKFW75N65ES5XKSA1 IGBT / 60 A, 650 V 148 W, 3-Pin HSIP247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
