Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 16 A 52 W IRFR3910TRPBF TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-9411
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3910TRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 16 A 52 W IRFR3910TRPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 257-9411
Herst. Teile-Nr.:: IRFR3910TRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	16A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	115mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd	52W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	29.3nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein
	Distrelec Product Id	304-40-540

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 16A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 115mΩ
	Maximale Verlustleistung Pd 52W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 29.3nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein
	Distrelec Product Id 304-40-540

Datasheet - IRFR3910TRPBF

Die IRFR-Serie von Infineon ist die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs mit bewährten Siliziumprozessen, die Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen bietet. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V / 16 A 52 W IRFR3910TRPBF TO-252

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