Teile-Nr.

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 43 A 320 W IRFS38N20DTRLP TO-263

RS Best.-Nr.:: 257-9428
Herst. Teile-Nr.:: IRFS38N20DTRLP
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 43 A 320 W IRFS38N20DTRLP TO-263

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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20 - 48	CHF.2.688	CHF.5.38
50 - 98	CHF.2.52	CHF.5.03
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RS Best.-Nr.:: 257-9428
Herst. Teile-Nr.:: IRFS38N20DTRLP
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	43A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	200V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-263
	Montageart	Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	54mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	30 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	60nC
	Maximale Verlustleistung Pd	320W
	Durchlassspannung Vf	1.5V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 43A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 200V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-263
	Montageart Oberfläche
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 54mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 30 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 60nC
	Maximale Verlustleistung Pd 320W
	Durchlassspannung Vf 1.5V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRFS38N20DTRLP

Die IRFS-Serie von Infineon ist ein 200-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem D2-Pak-Gehäuse.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Stromversorgungsgehäuse nach Industriestandard

Hochstromträgergehäuse (bis zu 195 A, je nach Matrizengröße)

Kann wellenförmig gelötet werden

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 200 V / 43 A 320 W IRFS38N20DTRLP TO-263

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