Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-9452
Herst. Teile-Nr.:: IRLR3110ZTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (1 Rolle mit 2000 Stück)*

CHF 1'212.00

Auf Lager

2'000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2000 +	CHF 0.606	CHF 1'218.06

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 257-9452
Herst. Teile-Nr.:: IRLR3110ZTRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	63A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	16mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.3V
	Maximale Betriebstemperatur	+175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.3V
	Maximale Betriebstemperatur +175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IRLR3110ZTRPBF

Infineon HEXFET Serie MOSFET, 100 V maximale Drain-Source-Spannung, 63 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom - IRLR3110ZTRPBF

Dieser MOSFET ist ein Durchsteck-Leistungstransistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in Schaltkreisen entwickelt wurde, die eine hohe Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät für Mittelspannungsanwendungen und ist für Installationen vorgesehen, bei denen ein TO-252-Gehäuse und eine unkomplizierte Leiterplattenmontage bevorzugt werden.

Merkmale und Vorteile:

• 16 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Stromfluss
• 100 V Vds unterstützt Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 63 A ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Belastung
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen
• Die Vorwärts-Gate-Spannung von 1,3 V ermöglicht eine effiziente Gate-Drive-Leistung

Anwendungsbereich

• Geeignet für DC-Stromumwandlungsstufen in Industrieanlagen
• Ideal für das Schalten von Motorantrieben in kompakten Baugruppen
• Verwendung mit Stromversorgungen, die einen hohen Stromdurchsatz erfordern
• Kann für das Batteriemanagement in Hochlastsystemen verwendet werden
• Geeignet für die Prüfung thermischer Belastungen bei Vorrichtungen und Aufbauten

Welchen Gehäusetyp verwendet er für die Platinenmontage?

Er wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage konfiguriert ist und die mechanische Stabilität und Wärmeableitung erleichtert.

Welches Kanalverhalten sollten Entwickler erwarten?

Er funktioniert als N-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus und erfordert für die Leitung einen positiven Gate-to-Source-Antrieb.

Wie wirkt sich die Temperaturfähigkeit auf den Einsatz aus?

Das Gerät ist für den Betrieb in einem Bereich von -55 °C bis +175 °C ausgelegt, was den Einsatz in Umgebungen mit erheblichen thermischen Schwankungen ermöglicht.

Ist diese Komponente für Automobilprojekte geeignet?

Das Teil entspricht nicht den Normen der Automobilindustrie und sollte nicht davon ausgehen, dass es diese spezifischen Qualifikationskriterien erfüllt.