Infineon HEXFET N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 63 A TO-252

Dieser MOSFET ist ein Durchsteck-Leistungstransistor, der für Schalt- und Leistungsmanagementfunktionen in Schaltkreisen entwickelt wurde, die eine hohe Strombelastbarkeit und eine hohe Temperaturbeständigkeit erfordern. Er arbeitet als N-Kanal-Verbesserungsgerät für Mittelspannungsanwendungen und ist für Installationen vorgesehen, bei denen ein TO-252-Gehäuse und eine unkomplizierte Leiterplattenmontage bevorzugt werden.

• 16 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei hohem Stromfluss
• 100 V Vds unterstützt Schaltanwendungen mit mittlerer Spannung
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 63 A ermöglicht einen dauerhaften Betrieb mit hoher Belastung
• Der Temperaturbereich von -55 °C bis +175 °C ermöglicht den Einsatz bei hohen Temperaturen
• Die Vorwärts-Gate-Spannung von 1,3 V ermöglicht eine effiziente Gate-Drive-Leistung

• Geeignet für DC-Stromumwandlungsstufen in Industrieanlagen
• Ideal für das Schalten von Motorantrieben in kompakten Baugruppen
• Verwendung mit Stromversorgungen, die einen hohen Stromdurchsatz erfordern
• Kann für das Batteriemanagement in Hochlastsystemen verwendet werden
• Geeignet für die Prüfung thermischer Belastungen bei Vorrichtungen und Aufbauten

Er wird in einem TO‐252-Gehäuse geliefert, das für die Durchsteckmontage konfiguriert ist und die mechanische Stabilität und Wärmeableitung erleichtert.

Er funktioniert als N-Kanal-Transistor im Enhancement-Modus und erfordert für die Leitung einen positiven Gate-to-Source-Antrieb.

Das Gerät ist für den Betrieb in einem Bereich von -55 °C bis +175 °C ausgelegt, was den Einsatz in Umgebungen mit erheblichen thermischen Schwankungen ermöglicht.

Das Teil entspricht nicht den Normen der Automobilindustrie und sollte nicht davon ausgehen, dass es diese spezifischen Qualifikationskriterien erfüllt.