Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 9.4 A IRFR120NTRPBF TO-252

RS Best.-Nr.:: 257-9402
Herst. Teile-Nr.:: IRFR120NTRPBF
Marke:: Infineon

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 9.4 A IRFR120NTRPBF TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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250 - 490	CHF.0.62	CHF.6.17
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RS Best.-Nr.:: 257-9402
Herst. Teile-Nr.:: IRFR120NTRPBF
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	100V
	Serie	HEXFET
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	15mΩ
	Normen/Zulassungen	EIA-481, EIA-541
	Automobilstandard	Nein
	Distrelec Product Id	304-40-535

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 100V
	Serie HEXFET
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Durchsteckmontage
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ
	Normen/Zulassungen EIA-481, EIA-541
	Automobilstandard Nein
	Distrelec Product Id 304-40-535

Datasheet - IRFR120NTRPBF

Die IRFR-Serie von Infineon ist ein 100-V-Einfach-N-Kanal-IR-Mosfet in einem D-Pak-Gehäuse. Die IR-MOSFET-Familie von Leistungs-MOSFETs nutzt bewährte Siliziumprozesse und bietet Entwicklern ein breites Portfolio an Geräten zur Unterstützung verschiedener Anwendungen wie z. B. Gleichstrommotoren, Wechselrichter, SMPS, Beleuchtung, Lastschalter sowie batteriebetriebene Anwendungen. Die Geräte sind in einer Vielzahl von SMD- und Durchgangsbohrungsgehäusen mit Industriestandard-Abmessungen für einfache Konstruktion erhältlich.

Planare Zellenstruktur für breite SOA

Optimiert für breiteste Verfügbarkeit bei Vertriebspartnern

Produktqualifizierung gemäß JEDEC-Standard

Silizium-Optimierung für Schaltanwendungen unter 100 kHz

SMD-Gehäuse nach Industriestandard

Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 100 V / 9.4 A IRFR120NTRPBF TO-252

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