Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 9.4 A 48 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
165-5902
Herst. Teile-Nr.:
IRFR120NTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

9.4A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

HEXFET

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

210mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

25nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

48W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.39mm

Normen/Zulassungen

Lead-Free

Breite

6.22 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
CN

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 100 V, Infineon


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